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在視覺的明度和節(jié)能方面，很少有顯示技術能與OLED（有機發(fā)光二極管技術）媲美。但目前OLED多被應用于手機類小型的顯示設備上，OLED的生產技術正在克服前述問題，努力向制造如計算機顯示器或者電視機等大型化的設備邁進。

量子點QLED顯示技術主要包括量子點發(fā)光二極管顯示技術（QLED）和量子點背光源技術（QD-BLU）。下面在介紹量子點QLED顯示技術前，需要先了解量子點的概念。

一、量子點的基本概念

1.量子點的含義

量子點（Quantum Dot）這個聽來有些科幻的名字是美國耶魯大學物理學家馬克•里德提出的，也往往被稱為“納米點”或者“零維材料”。量子點是一類特殊的納米材料，往往是由碑化鐐、硒化鎘等半導體材料為核，外面包裹著另一種半導體材料而形成的微小顆粒。每個量子點顆粒的尺寸只有幾納米到數(shù)十納米，包含了幾十到數(shù)百萬個原子。因為其體積的微小，讓內部電子在各方向上的運動都受到局限，所以量子限域效應特別顯著，也讓它能發(fā)出特定顏色的熒光。在受到外界光源的照射后，量子點中的電子吸收了光子的能量，從穩(wěn)定的低能級躍遷到不穩(wěn)定的高能級，而在恢復穩(wěn)定時，將會將能量以特定波長光子的方式放出。這種激發(fā)熒光的方式與其他半導體分子相似；而不同的是，量子點的熒光顏色，與其大小緊密相關，只需要調節(jié)量子點的大小，就可以得到不同顏色的純色光。

量子點是由有限數(shù)目的原子組成，其三個維度尺寸均在納米數(shù)量級。量子點一般為球形或類球形，是由半導體材料（通常由ⅡB~ⅥA或ⅢA~ⅤA元素組成）制成的、穩(wěn)定直徑在2~20nm的納米粒子。量子點是在納米尺度上的原子和分子的集合體，既可由一種半導體材料組成，如由ⅡB.ⅥA族元素（如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等）或ⅢA.ⅤA族元素（如InP、InAs等）組成，也可以由兩種或兩種以上的半導體材料組成。作為一種新穎的半導體納米材料，量子點具有許多獨特的納米性質。

量子點是在把導帶電子、價帶空穴及激子在三個空間方向上束縛住的半導體納米結構。這種約束可以歸結于靜電勢（由外部的電極，摻雜，應變，雜質產生），兩種不同半導體材料的界面（如在自組量子點中），半導體的表面（如半導體納米晶體），或者以上三者的結合。一個量子點具有少量的（1~100個）整數(shù)的電子、空穴或電子空穴對，即其所帶的電量是元電荷的整數(shù)倍。

量子點，也可稱為納米晶，是一種由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素組成的納米顆粒。量子點的粒徑一般為1~10nm，由于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結構變成具有分子特性的分立能級結構，受激后可以發(fā)射熒光?；诹孔有?，量子點在太陽能電池、發(fā)光器件、光學生物標記等領域具有廣泛的應用前景。

小的量子點，例如膠狀半導體納米晶，可以小到2~10nm，這相當于10~50個原子的直徑的尺寸，在一個量子點體積中可以包含100~100000個這樣的原子，自組裝量子點的典型尺寸在10~50nm，通過光刻成型的門電極或者刻蝕半導體異質結中的二維電子氣形成的量子點橫向尺寸，可以超過100nm。將10nm的300萬個量子點首尾相接排列起來，可以達到人類拇指的寬度。

量子點按其幾何形狀，可分為箱形量子點、球形量子點、四面體量子點、柱形量子點、立方量子點、盤形量子點和外場（電場和磁場）誘導量子點；按其電子與空穴的量子封閉作用，量子點可分為1型量子點和2型量子點；按其材料組成，量子點又可分為元素半導體量子點、化合物半導體量子點和異質結量子點。此外，原子及分子團簇、超微粒子和多空硅等也都屬于量子點范疇。

2.量子點的主要性質。

①量子點的發(fā)射光譜可以通過改變量子點的尺寸大小來控制。通過改變量子點的尺寸和化學組成可以使其發(fā)射光譜覆蓋整個可見光區(qū)。以CdTe量子為例，當它的粒徑從2.5nm增加到4.0nm時，它們的發(fā)射波長可以從510nm紅移到660nm。

②量子點具有很好的光穩(wěn)定性。量子點的熒光強度比最常用的有機熒光材料“羅丹明6G”高20倍，穩(wěn)定性更是“羅丹明6G”的100倍以上。因此，量子點可以對標記的物體進行長時間的觀察，這也為研究細胞中生物分子之間長期相互作用提供了有力的工具。

③量子點具有寬的激發(fā)譜和窄的發(fā)射譜。使用同一激發(fā)光源就可實現(xiàn)對不同粒徑的量子點進行同步檢測，因而可用于多色標記，極大地促進了熒光標記的應用。而傳統(tǒng)的有機熒光染料的激發(fā)光波長范圍較窄，不同熒光染料通常需要多種波長的激發(fā)光來激發(fā)，這給實際的研究工作帶來了很多不便。此外，量子點具有窄而對稱的熒光發(fā)射峰，且無拖尾，多色量子點同時使用時不容易出現(xiàn)光譜交疊。

④量子點具有較大的斯托克斯位移。量子點不同于有機染料的另一光學性質就是大的斯托克斯位移，這樣可以避免發(fā)射光譜與激發(fā)光譜的重疊，有利于熒光光譜信號的檢測。

⑤生物相容性好。量子點經(jīng)過各種化學修飾之后，可以進行特異性連接，其細胞毒性低，對生物體危害小，可進行生物活體標記和檢測。

⑥量子點的熒光壽命長。有機熒光染料的熒光壽命一般僅為幾納秒（這與很多生物樣本的自發(fā)熒光衰減的時間相當），而量子點的熒光壽命可持續(xù)20~50ns，這使得當光激發(fā)后，大多數(shù)的自發(fā)熒光已經(jīng)衰變，而量子點熒光仍然存在，此時即可得到無背景干擾的熒光信號。

總之，量子點具有激發(fā)光譜寬且連續(xù)分布，而發(fā)射光譜窄而對稱、顏色可調、光化學穩(wěn)定性高、熒光壽命長等優(yōu)越的熒光特性，是一種理想的熒光探針。

（3）量子點的物理效應。量子點獨特的性質基于它自身的量子效應，當顆粒尺寸進入納米量級時，尺寸限域將引起尺寸效應、量子限域效應、宏觀量子隧道效應和表面效應，從而派生出納米體系具有常觀體系和微觀體系不同的低維物性，展現(xiàn)出許多不同于宏觀體材料的物理化學性質，在非線性光學、磁介質、催化、醫(yī)藥及功能材料等方面具有極為廣闊的應用前景，同時將對生命科學和信息技術的持續(xù)發(fā)展，以及物質領域的基礎研究發(fā)生深刻的影響。

①量子尺寸效應。通過控制量子點的形狀、結構和尺寸，就可以方便地調節(jié)其能隙（禁帶）寬度、激子束縛能的大小，以及激子的能量藍移等電子狀態(tài)。隨著量子點尺寸的逐漸減小，量子點的光吸收譜出現(xiàn)藍移現(xiàn)象，尺寸越小，則譜藍移現(xiàn)象也越顯著，這就是所謂的量子尺寸效應。

②表面效應。它是指隨著量子點的粒徑減小，大部分原子位于量子點的表面，量子點的比表面積隨粒徑減小而增大。由于納米顆粒大的比表面積，表面相原子數(shù)的增多，導致了表面原子的配位不足、不飽和鍵和懸鍵增多，使這些表面原子具有高的活性，極不穩(wěn)定，很容易與其他原子結合。這種表面效應將引起納米粒子大的表面能和高的活性。表面原子的活性不但會引起納米粒子表面原子輸運和結構型的變化，同時也會引起表面電子自旋構象和電子能譜的變化。表面缺陷導致陷阱電子或空穴，它們反過來會影響量子點的發(fā)光性質，引起非線性光學效應。金屬體材料通過光反射而呈現(xiàn)出各種特征顏色，由于表面效應和尺寸效應使納米金屬顆粒對光反射系數(shù)顯著下降，通常低于1%，因而納米金屬顆粒一般呈黑色，粒徑越小，顏色越深，即納米顆粒的光吸收能力越強，呈現(xiàn)出寬頻帶強吸收譜。

③介電限域效應。由于量子點與電子的De Broglie波長、相干波長及激子Bohr半徑可比擬，電子局限在納米空間，電子輸運受到限制，電子平均自由程很短，電子的局域性和相干性增強，將引起量子限域效應。對于量子點，當粒徑與Wannier激子Bohr半徑相當或更小時，處于強限域區(qū)，易形成激子，產生激子吸收帶。隨著粒徑的減小，激子帶的吸收系數(shù)增加，出現(xiàn)激子強吸收。由于量子限域效應，激子的最低能量向高能方向移動即藍移。最新的報道表明，日本NEC已成功地制備了量子點陣，在基底上沉積納米島狀量子點陣列。當用激光照射量子點使之激勵時，量子點發(fā)出藍光，表明量子點確實具有關閉電子的功能的量子限域效應。當量子點的粒徑大于Waboer激子Bohr半徑時，處于弱限域區(qū)，此時不能形成激子，其光譜是由干帶間躍遷的一系列線譜組成。

④量子隧道效應。傳統(tǒng)的功能材料和元件，其物理尺寸遠大于電子自由程，所觀測的是群電子輸運行為，具有統(tǒng)計平均結果，所描述的性質主要是宏觀物理量。當微電子器件進一步細微化時，必須要考慮量子隧道效應。100nm被認為微電子技術發(fā)展的極限，其原因是電子在納米尺度空間中將有明顯的波動性，量子效應將起主要功能。電子在納米尺度空間中運動，物理線度與電子自由程相當，載流子的輸運過程將有明顯電子的波動性，出現(xiàn)量子隧道效應。電子的能級是分立的，利用電子的量子效應制造的量子器件，要實現(xiàn)量子效應，要求在幾個微米到幾十個微米的微小區(qū)域形成納米導電域。電子被“鎖”在納米導電區(qū)域，電子在納米空間中顯現(xiàn)出的波動性產生了量子限域效應。納米導電區(qū)域之間形成薄薄的量子墊壘，當電壓很低時，電子被限制在納米尺度范圍運動，升高電壓可以使電子越過納米勢壘形成費米電子海，使體系變?yōu)閷щ?。電子從一個量子阱穿越量子墊壘進入另一個量子阱就出現(xiàn)了量子隧道效應，這種絕緣到導電的臨界效應是納米有序陣列體系的特點。

⑤庫侖阻塞效應。當一個量子點與其所有相關電極的電容之和足夠小時，只要有一個電子進入量子點，系統(tǒng)增加的靜電能就會遠大于電子熱運動能力，這個靜電能將阻止隨后的第二個電子進入同一個量子點，這就是庫侖阻塞效應。

二、量子點背光源技術（QD-BLU）

目前最成熟的QLED應用是用于改善液晶顯示設備的顯示效果，這種應用采用的是三原色的光致發(fā)光QLED材料。量子點具有發(fā)光特性，量子點薄膜（QDEF）中的量子點在藍色LED背光照射下生成紅光和綠光，并同其余透過薄膜的藍光一起混合得到白光，從而能提升整個背光系統(tǒng)的發(fā)光效果。

量子點QLED顯示技術與眾不同的特性是，每當受到光或電的刺激時，量子點便會發(fā)出有色光線，光線的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定，量子點能夠將LED光源發(fā)出的藍光完全轉化為白光（傳統(tǒng)YAG熒光體只能吸收一部分），這意味著在同樣的亮度下，量子點QLED所需的藍光更少，在電光轉化中需要的電力亦更少，從而有效降低背光系統(tǒng)的功耗總成。

例如，在蘋果iPhone6和TCL的QLED電視中，QLED起到的作用是改變液晶顯示背光源的品質。目前，白光LED光源是超薄、節(jié)能液晶顯示設備的主流光源，這種光源的LED燈主要由發(fā)藍色光的LED芯片和對應的紅色、綠色熒光粉構成。這種設計的問題在于，熒光粉的轉化效率并不是特別高、色彩純度也有限，前者導致液晶電視能耗水平一直高于OLED，后者導致液晶電視色彩表現(xiàn)比OLED差。

但是，在應用QLED技術后，液晶顯示的背光系統(tǒng)可以是另一種狀態(tài)。QLED技術的液晶背光源中，LED發(fā)光器件選擇藍色的（不是白色，也不是紅綠藍三種，之所以選擇藍色，是因為藍色LED的效率最高、成本最低），藍色的LED光通過導光板形成平行的面藍色光源，然后照射到涂覆有QLED物質的另一個薄膜上，不同種類和數(shù)量的QLED量子點物質將藍色LED的光，按比例轉化成紅綠藍三原色，并合成液晶顯示需要的“高品質白色”背光源。

液晶顯示應用QLED技術之后，背光源的色彩轉換效率大幅度提升，同時原色的純度也大幅度提升。前者使得電視機和手機更為節(jié)能，后者則使得電視機和手機的色彩表現(xiàn)力顯著提升。

當然，任何技術都不是完美的。QLED技術目前用于改善液晶顯示設備的顯示效果，也會產生副作用，這些副作用主要是：QLED材料的熱穩(wěn)定性不好，這就要求采用該技術的液晶顯示設備更注重散熱：QLED材料在空氣中的穩(wěn)定性不好，這就需要注重顯示設備相關組件的密封；同時，QLED的材料壽命低于傳統(tǒng)的熒光粉很多（目前和OLED材料壽命相當或者略長），QLED材料會成為采用該技術的液晶顯示設備的壽命“瓶頸”，尤其是在個別QLED材料壽命只有1~3萬小時的背景下，對比傳統(tǒng)LED光源10萬小時的壽命，差異巨大。

用QLED加強LCD背光后液晶顯示的結構如圖1所示。

圖1 用QLED加強LCD背光后液晶顯示的結構圖

傳統(tǒng)液晶顯示技術的畫面效果瓶頸主要由液晶反應速度、濾光膜效果和背光源系統(tǒng)提供的背光品質決定，而QLED可以顯著改善背光源的品質；同時，在產品工藝上，QLED材料層可以和液晶背光源模組、背光模組中的導光板，甚至液晶和TFT工藝層混合，具有多種工藝和架構選擇，可以讓液晶顯示廠商選擇最為經(jīng)濟合理的技術方案。更為重要的是，這些技術路線中的任何一個，都不會較大地改變現(xiàn)有的產品生產工藝和流程體系。也就是說，引入QLED技術的液晶產品，制造成本的增長有限。同時，可以和液晶面板結合，也可以和背光源模組結合的特點，使得QLED可以在整機廠商或者面板廠商的產業(yè)鏈階段同時滲透，采用該技術制造顯示設備整機企業(yè)，不需要完全依賴面板廠商。

目前，液晶顯示行業(yè)巳經(jīng)把應用QLED作為改善液晶畫質品質的關鍵突破點。但是，QLED創(chuàng)造的想象空間還遠不止這些，如QLED還可以拋棄液晶成為獨立的顯示技術門類，這就是下面論述的量子點發(fā)光二極管顯示技術。

據(jù)報道，2005年，畢業(yè)于麻省理工大學的科爾•蘇利文創(chuàng)建QD Vision公司，隨后QD Vision聯(lián)手韓國LG Display和比利時化學品公司Solvay，研究并制造了QLED有源矩陣顯示屏。與目前的顯示屏相比，QLED在大大提高了亮度和畫面鮮艷度的同時，還減少了能耗。

該產品能夠進行商業(yè)化生產并能同有機發(fā)光顯示屏（OLED）相競爭，如制造OLED時，需要使用一個'‘陰罩”，當屏幕尺寸變大時，“陰罩”板容易發(fā)生熱脹冷縮，會使得色彩等不夠精確。而QLED的制造過程不需要使用“陰罩”，因此不會出現(xiàn)精確度減少的問題。另外，量子點還可懸停在液體中，并使用多種技術讓其沉積，包括將其噴墨打印在非常薄的、柔性或者透明的襯底上。

OLED還有一處不足，即其純色需用彩色過濾器才能產生，而QLED從一開始就能產生各種不同純色，也在將電子轉化為光子方面優(yōu)于OLED，因此能效更高，制造成本更低。在同等畫質下，QLED的節(jié)能性有望達到OLED屏的2倍，發(fā)光率將提升30%~40%。

值得指出的是，2012年，浙江大學高新材料化學中心有合成化學背景的彭笑剛課題組和具有制備溶液工藝光電器件經(jīng)驗的金一政等科學家緊密合作，在首先解決了量子點合成化學方面的問題后，通過在器件中插入一層超薄絕緣層，很好地解決了載流子平衡注入這一困擾QLED領域多年的難題，從而設計出一種新型的量子點發(fā)光二極管（QLED）。并且，其制備方法基于低成本、有潛力應用于大規(guī)模生產的溶液工藝，其綜合性能則超越了已知的所有溶液工藝的紅光器件，尤其是將使用亮度條件下的壽命推進到10萬小時的實用水平。這種新型的QLED使用的發(fā)光材料是可溶的無機半導體納米晶（量子點），這種高效的無機發(fā)光中心同時可以兼容溶液工藝。金一政說：“采用溶液工藝制備光電器件具有高速度、低成本的優(yōu)勢，其制備過程有可能如同印刷報紙一樣簡單高效，還有可能采用輕薄、柔性的塑料基板。”

（1）量子點發(fā)光二極管的結構原理。和OLED類似，量子點屏的每種顏色的像素都和一個薄膜發(fā)光二級管對應，由二極管發(fā)光為量子點提供能量，激發(fā)量子點發(fā)出不同強度、不同顏色的光線，在人眼中組合成一幅圖像。由于量子點發(fā)光波長范圍極窄，顏色非常純粹，所以量子點屏幕的畫面比其他屏幕都要更清新明亮。

QLED是利用單反射鏡結構的量子點結構制造的發(fā)光二極管，如圖2所示。

這個器件的有源層是由InAs量子點層組成的，InAs量子點層被離開器件表面的鍍金反射鏡的InGaAs層包覆。為了限制注入的載流子，利用一個單量子點層有源區(qū)，而InGaAs層生長在GaAs襯底和有源區(qū)之間。為了提高輸出信號光功率，單量子點層位于離開表面反射鏡發(fā)光γ/2的位置。這樣，由反射鏡反射的光信號不斷地與來自有源層下面的輻射發(fā)光作用，從而使襯底收集的光信號功率增大4倍。人們已成功地研制出工作波長為1310nm和1550nm時，輸出光功率可以達到10mW的QLED。

圖2 量子點發(fā)光二極管的結構原理

目前，已經(jīng)研制出了外量子效率大于20%的帶有諧振腔的QLED。對于那些沒有諧振腔的QLED，可以通過在發(fā)光二極管表面引入一個薄的有源層來提高外量子效率。這樣的器件稱為表面織結薄膜發(fā)光二極管，在這種組織結構中，經(jīng)過全內反射的光信號，再通過織構頂面散射，從而改變了光信號的傳播角度，來自后反射鏡反射的光信號可以耦合至發(fā)光二極管的輸出。現(xiàn)在，已經(jīng)研制出了沒有諧振腔的QLED，其在1Gbps以上的傳輸速度的外量子效率可以達到29%。如果在光器件的頂部再配置光學透鏡，可以使光器件的量子效率提高到40%。

過去十多年來，研究人員一直在研究量子點顯示器。過去是把量子點噴在基底材料表面作涂層，類似于噴墨打印。這種技術要把量子點溶解在有機溶劑中，會污染顯示器，降低色彩亮度和能效。為克服這一缺點，研究人員找到一種壓印的方法，用有圖案的硅片造出一種“墨水印章”，然后用“印章”來選取大小合適的量子點，不需要溶劑就可將它們壓在薄膜基片上，平均每平方厘米約分布3萬億個量子點。用這種方法制成的顯示器密度和量子一致性都更高，能產生更明亮的畫面，能效也比以前更高。研究人員指出，新技術印制量子點顯示器是在柔軟薄膜上，在可卷曲便攜式顯示器、柔軟發(fā)光設備、光電設備等領域該技術都會有廣泛應用。

（2）量子點發(fā)光二極管（QLED）的優(yōu)勢。目前，三星公司已在研發(fā)可彎曲的OLED屏幕，但QLED屏幕將比它更薄、更容易卷起。QLED的狹義定義為尺度小于10nm的零維半導體晶體，它的大小只有人類頭發(fā)的l/lOOOOOo科學家研究出把這種晶體印刷到柔韌有彈性的的塑料上，可便于攜帶，甚至印刷到更大的薄板上創(chuàng)造出巨型屏幕。由于QLED的體積非常小，因此制造商能自由決定放射波長，即人眼所見的光的顏色，可在生產過程中調整任何顏色，做出彩色屏幕。當前市面上多數(shù)電視是使用由LED作為背光源的LCD屏幕，厚度多為數(shù)毫米。應用QLED技術，則可達到史上最輕、最薄的境界，影像質量也較LCD和OLED屏幕來得好，并維持得更久。

相比于液晶顯示設備（LCD），OLED的優(yōu)勢非常明顯，其更薄更輕，顯示效果也更好，尤其是在能耗方面（能耗僅為LCD的10%~20%）。但因為OLED使用的是有機材料，顯示設備的壽命比LCD要短很多，并且技術成本也很高，當屏幕尺寸變大時，陰罩板容易發(fā)生熱脹冷縮，會使得色彩等不夠精確。這限制了OLED在大尺寸屏幕上的應用。

量子點發(fā)光二極管（QLED）與OLED相比，具有更大的優(yōu)越性。

•QLED屏比OLED屏更亮、壽命更長，不使用陰罩，可應用于大屏幕。

•QLED屏比OLED屏生產成本低，因為QLED屏采用了穩(wěn)定可靠的無機半導體材料，降低了生產成本；在將電子轉化為光子方面也優(yōu)于OLED，因此能效更高，制造成本更低。QLED屏生產成本還不到OLED屏的一半，更適用于大規(guī)模市場推廣。

•QLED屏比OLED屏能耗小，因為量子點能夠將LED光源發(fā)出的藍光完全轉化為白光，而不是像OLED那樣只能吸收一部分，這意味著在同樣的燈泡亮度下，量子點LED燈所需的藍光更少，在電光轉化中需要的電力自然更少，因而更加節(jié)能。在同等畫質下，QLED的節(jié)能性有望達到OLED屏的2倍。

•QLED屏比OLED屏電光轉換效率或發(fā)光效率高，發(fā)光率將提升30%~40%。并且，它不存在散熱的問題，可用于大面積和家庭照明。同時OLED可以達到與無機半導體材料一樣的穩(wěn)定性、可靠性。

•QLED屏比OLED屏色純度高，OLED的純色需用彩色過濾器才能產生，而QLED從一開始就能產生各種不同純色，其顏色純度是現(xiàn)有產品的2倍，光線非常柔和，色彩更豐富。

•OLED在封裝過程中要求條件很高，QLED則受條件限制較少。

不過，QLED的發(fā)展也面臨著兩個挑戰(zhàn)：其一是壽命短，最好的QLED壽命僅為1萬小時，這對大尺寸顯示屏來說還不夠；其二是需要確保色彩能始終如一地再現(xiàn)。目前，已經(jīng)在這兩方面取得了很大進步，QLED即將開始商業(yè)化生產。

（3）QLED電視與4K超高清液晶電視畫質比較。下面我們再具體看一下量子點QLED顯示技術所顯示的畫質情況。與其對比的是一臺高端4K超高清液晶電視（基于WLED背光技術）對多個場景的對比效果。

QLED屏與4K超高清液晶電視屏對同一野外場景的顯示比較，如圖3所示。

圖3 QLED屏與4K超高清液晶電視屏對同一野外場景的顯示比較

QLED屏與4K超高清液晶電視屏對同一人像的顯示比較，如圖4所示。

圖4 QLED屏與4K超高清液晶電視屏對同一人像的顯示比較

由圖3和圖4可見，盡管實拍對比圖已經(jīng)"縮小”兩種顯示技術的畫質差異，但量子點QLED顯示技術已經(jīng)在各個方面無懸念地壓制傳統(tǒng)4K超高清液晶電視，無論是畫面的透亮程度、色彩純度、暗部細節(jié)等，量子點QLED顯示技術的確在畫質表現(xiàn)上令人感到驚訝。事實證明，上述我們對量子點QLED顯示技術的技術解析，并非言過其實。

雖然，QLED量子屏技術處于初期階段，依舊有技術改善的空間，但該技術具有非常好的市場前景。目前，國內外已經(jīng)取得很大的進展，QLED必將開始展現(xiàn)巨大的商業(yè)價值。